2018年10月2日,ANSYS宣布,ANSYS解決方案已通過臺積電的7nm FinFET Plus(N7+)工藝技術(shù)節(jié)點認證,支持EUV(極紫外線光刻技術(shù))技術(shù),而且參考流程經(jīng)驗證可支持最新的基于內(nèi)存基板應(yīng)用的集成扇出型(InFO_MS)高級封裝技術(shù)。上述認證和驗證對于無晶圓廠的半導(dǎo)體企業(yè)非常重要,有助于其仿真工具通過嚴格的測試和驗證過程,從而支持新的工藝節(jié)點和封裝技術(shù)。
2018年10月2日,ANSYS宣布,ANSYS解決方案已通過臺積電的7nm FinFET Plus(N7+)工藝技術(shù)節(jié)點認證,支持EUV(極紫外線光刻技術(shù))技術(shù),而且參考流程經(jīng)驗證可支持最新的基于內(nèi)存基板應(yīng)用的集成扇出型(InFO_MS)高級封裝技術(shù)。上述認證和驗證對于無晶圓廠的半導(dǎo)體企業(yè)非常重要,有助于其仿真工具通過嚴格的測試和驗證過程,從而支持新的工藝節(jié)點和封裝技術(shù)。
ANSYS? RedHawk?和ANSYS? Totem?通過了臺積電N7+工藝技術(shù)認證,能提供支持EUV的相關(guān)特性。N7+的認證包括提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移(EM)和熱可靠性分析等方面。
業(yè)界領(lǐng)先的臺積電InFO高級封裝技術(shù)經(jīng)過擴展后可將內(nèi)存子系統(tǒng)和邏輯芯片集成在一起。臺積電和ANSYS改進了現(xiàn)有的InFO設(shè)計流程,支持新型InFO_MS封裝技術(shù),并使用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS? RedHawk-CPA?、ANSYS? RedHawk-CTA?、ANSYS? CMA?和ANSYS? CSM?及相應(yīng)的芯片模型驗證了參考流程。InFO_MS參考流程包括晶片和封裝的協(xié)同仿真和協(xié)同分析,支持提取、電源和信號完整性分析、電源和信號電遷移分析以及熱分析等。
臺積電設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施市場營銷部門的高級總監(jiān)Suk Lee指出:“臺積電和ANSYS的最新N7+認證合作和InFO_MS支持工作能幫助客戶滿足新一代芯片和封裝對于更高性能、可靠性和功耗的要求?!?br />
ANSYS半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理John Lee指出:“隨著智能互聯(lián)電子設(shè)備的數(shù)量不斷增多,制造商必須跟上發(fā)展步伐,設(shè)計出節(jié)能型、高性能、可靠性產(chǎn)品,同時降低成本,縮小封裝。ANSYS半導(dǎo)體解決方案可滿足功率、熱、可靠性等復(fù)雜的多物理場挑戰(zhàn),也能應(yīng)對工藝變化對產(chǎn)品性能的影響。ANSYS的綜合芯片封裝系統(tǒng)解決方案支持芯片感知系統(tǒng)和系統(tǒng)感知芯片簽核,有助于雙方共同的客戶以更大的信心加速設(shè)計收斂?!?br />